Samsung SSD 850 EVO 1TB (MZ-75E1T0BW)

Server

ราคาพิเศษโดย MemoryToday.com

Samsung SSD 850 EVO 1TB (MZ-75E1T0BW)
-> Samsung SSD 860 EVO 1TB (MZ-76E1T0BW) http://www.memorytoday.com/ftopict-362838.html

โปรโมชั่นพิเศษ http://www.memorytoday.com/ftopict-18416.html

3D V-NAND คืออะไร และแตกต่างจากเทคโนโลยีที่มีอยู่อย่างไร
สถาปัตยกรรมหน่วยความจำแฟลช 3D V-NAND ที่เป็นเอกลักษณ์และนวัตกรรมของ Samsung เป็นความก้าวหน้าที่สำคัญในการเอาชนะข้อจำกัดเรื่องความหนาแน่น ประสิทธิภาพ และความทนทานของสถาปัตยกรรม NAND แนวราบที่มีอยู่ทั่วไปในปัจจุบัน 3D V-NAND สร้างขึ้นจากการเรียงชั้นเซลล์ 32 ชั้นในแนวตั้งซ้อนกัน แทนที่จะลดขนาดเซลล์และพยายามปรับตัวเองให้พอดีกับพื้นที่แนวนอนที่จำกัด ผลลัพธ์คือความหนาแน่นสูงขึ้นและประสิทธิภาพดีขึ้นโดยใช้พื้นที่ดิสก์น้อยลง

เพิ่มประสิทธิภาพการประมวลผลประจำวันด้วยเทคโนโลยี TurboWrite เพื่อความเร็วในการอ่าน/เขียนที่ไม่มีใครเทียบได้
ให้ประสิทธิภาพสูงสุดในการอ่าน/เขียนข้อมูล เพื่อให้คุณได้รับประสบการณ์การประมวลผลประจำวันที่ดีที่สุดด้วยเทคโนโลยี TurboWrite ของ Samsung นอกจากคุณจะได้รับประสบการณ์การใช้งานที่ดีกว่า 840 EVO* เกินกว่า 10% แล้ว ความเร็วในการเขียนแบบสุ่มยังเร็วขึ้นถึง 1.9 เท่าสำหรับรุ่น 120/250 กิกะไบต์** อีกด้วย 850 EVO ให้ประสิทธิภาพสูงสุดเมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ระดับเดียวกันในเรื่องความเร็วในการอ่าน (540 เมกะไบต์/วินาที) และความเร็วในการเขียน (520 เมกะไบต์/วินาที) นอกจากนี้ คุณยังจะได้รับประสิทธิภาพแบบสุ่มสูงสุดในทุก QD สำหรับสถานการณ์การใช้งานไคลเอนต์พีซีด้วย
*PCmark7 (250 GB ): 6700 (840 EVO) > 7600 (850 EVO)
**การเขียนข้อมูลแบบสุ่ม (QD32, 120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO)

ก้าวสู่โลกแห่งความเร็วด้วยโหมด RAPID ที่ดียิ่งขึ้น
ซอฟต์แวร์ Magician ของ Samsung มีโหมด Rapid ที่ให้ความเร็วในการประมวลผลข้อมูลเร็วขึ้นกว่าเดิม 2 เท่า* ในระดับระบบ โดยใช้หน่วยความจำพีซีที่ไม่ได้ใช้งาน (DRAM) เป็นตัวจัดเก็บแคช Magician รุ่นใหม่ล่าสุดเพิ่มการใช้หน่วยความจำสูงสุดในโหมด Rapid จาก 1 กิกะไบต์ ใน 840 EVO รุ่นก่อนหน้า เป็นสูงสุด 4 กิกะไบต์ด้วย 850 EVO เมื่อใช้ DRAM 16 กิกะไบต์ นอกจากนี้ คุณยังได้รับการเพิ่มประสิทธิภาพมากขึ้น 2 เท่า* ในด้านความลึกของคิวแบบสุ่มทั้งหมดด้วย
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7500 > 15000 (โหมด Rapid)

รับประกันความทนทานและความน่าเชื่อถือที่สนับสนุนด้วยเทคโนโลยี 3D V-NAND
850 EVO มอบความทนทานและความน่าเชื่อถือที่รับประกันได้ ด้วย TBW* ที่เพิ่มขึ้นเป็นสองเท่า เมื่อเทียบกับ 840 EVO** รุ่นก่อนหน้า พร้อมการรับประกัน 5 ปีในระดับชั้นนำของอุตสาหกรรม ด้วยการลดการเสื่อมประสิทธิภาพให้เหลือน้อยที่สุด ทำให้ 850 EVO เพิ่มประสิทธิภาพอย่างยั่งยืนได้สูงสุด 30% เมื่อเทียบกับ 840 EVO จึงพิสูจน์ได้ว่าเป็นหนึ่งในอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่เชื่อถือได้มากที่สุด***
*TBW: จำนวนไบต์ทั้งหมดที่ถูกเขียน
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120/250 GB), 150 (850 EVO 500/1 TB)
***ประสิทธิภาพที่ยั่งยืน (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), ประสิทธิภาพที่วัดภายหลังการทดสอบ “การเขียนแบบสุ่ม” เป็นเวลา 12 ชั่วโมง

ประมวลผลได้ยาวนานขึ้นด้วยประสิทธิภาพพลังงานที่ดียิ่งขึ้น สนับสนุนด้วย 3D V-NAND
850 EVO ช่วยให้อายุการใช้งานแบตเตอรี่ในโน้ตบุ๊คของคุณยาวนานขึ้นมาก ด้วยตัวควบคุมที่เหมาะสำหรับ 3D V-NAND ทำให้ขณะนี้สามารถใช้งาน Device Sleep ด้วยกำลังไฟ 2 เมกะวัตต์ที่มีประสิทธิภาพสูง ขณะนี้ 850 EVO ประหยัดพลังงานมากขึ้นถึง 25% เมื่อเทียบกับ 840 EVO ในระหว่างการดำเนินการเขียน* ด้วย 3D V-NAND ทำให้ใช้พลังงานเพียงครึ่งเดียว เมื่อเทียบกับ 2D NAND แนวราบ
*พลังงาน (250 กิกะไบต์): 3.2 วัตต์ (840 EVO) > 2.4 วัตต์ (850 EVO)

Samsung SSD 850 EVO SPECIFICATIONS

Sequential Read Speed
Up to 540 MB/s
Sequential Write Speed
Up to 520 MB/s

RANDOM READ (4KB, QD32)
1 TB: Up to 98,000 IOPS

RANDOM WRITE (4KB, QD32)
1 TB: Up to 90,000 IOPS

*สินค้า Samsung SSD 850 EVO รับประกัน 5 Year
สอบถามข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า และบริการของเราได้ที่ Hotline 084-959-9000 หรือที่ Corporate Center: 02-641-0055 สำหรับลูกค้าองค์กร